Micro LED轉(zhuǎn)移技術分析
Micro LED技術，目前面臨相當多的技術挑戰(zhàn)，根據(jù)LEDinside研究副理楊富寶表示Micro LED制程共計四大關鍵技術，轉(zhuǎn)移技術是目前最困難的關鍵制程之一，其他包括電路驅(qū)動設計、色彩轉(zhuǎn)換方式、檢測設備及方法、晶圓波長的均勻度控制等，也都是尚待突破的技術瓶頸。
Micro LED制造成本居高不下，原因在于相關轉(zhuǎn)移技術瓶頸仍待突破，區(qū)分為以下七大要素，如生產(chǎn)設備精密度的要求、制程良率的提升、產(chǎn)出速度（UPH：Unit Per Hour）的效率提升、制程能力的控制、生產(chǎn)方式之最佳化確定、檢測設備及儀器的精確穩(wěn)定性、壞點維修方式、制程加工成本的降低...等。由于涉及的產(chǎn)業(yè)橫跨LED、半導體、面板上下游供應鏈，舉凡芯片、機臺、材料、檢測設備等都與過去的規(guī)格相異，提高了技術的門檻，而異業(yè)間的溝通整合也增加了研發(fā)時程。
LEDinside以工業(yè)制程六個標準差做為Micro LED量產(chǎn)可行性評估依據(jù)。轉(zhuǎn)移制程良率須達到四個標準差等級，才有機會產(chǎn)品商品化但加工及維修成本仍然很高，若要達到成熟的產(chǎn)品及具有競爭性的加工成本，其轉(zhuǎn)移良率至少要達到五個標準差以上，才能真正成為成熟的商品化產(chǎn)品。
Micro LED量產(chǎn)可行性評估
一般傳統(tǒng)的LED例如3030的封裝體其光源尺寸3,000μm，可借由SMT設備即可達到轉(zhuǎn)移之作用，當光源尺寸在100μm時也可借由固晶機（Die Bonder）設備達到芯片轉(zhuǎn)移，當光源尺寸不斷的縮小至10μm時，現(xiàn)狀的轉(zhuǎn)移（Pick & Place）設備其精密度及準確度將面臨嚴重考驗。
Micro LED制程的設備的精密度需小于±1.5μm才能精確的轉(zhuǎn)移至目標背板，目前現(xiàn)況轉(zhuǎn)移設備（Pick & Place）的精密度是±34μm （Multi-chip per Transfer），覆晶固晶機（Flip Chip Bonder）的精密度是±1.5μm （每次移轉(zhuǎn)為單一芯片） ，皆無法達到Micro LED巨量轉(zhuǎn)移的精密度規(guī)格需求。
芯片級銲接 （Chip Bonding）及外延級焊接 （Wafer Bonding）由于產(chǎn)能過低及工時成本過高，在巨量轉(zhuǎn)移上將無法應用上，但Wafer Bonding（外延級焊接）現(xiàn)狀的應用是因為以現(xiàn)有機臺來開發(fā)Micro LED技術及研發(fā)像素數(shù)量（Pixel Volume）較小的產(chǎn)品，但產(chǎn)能及工時成本皆是挑戰(zhàn)，未來轉(zhuǎn)移技術將是以薄膜轉(zhuǎn)移（Thin Film Transfer）的各種技術為主。
五大薄膜轉(zhuǎn)移技術包含靜電吸附、凡得瓦力轉(zhuǎn)印、雷射激光燒蝕、相變化轉(zhuǎn)移、流體裝配。流體組裝方式是一種高速度的組裝技術，對各式之產(chǎn)品應用皆有較高的產(chǎn)出量（UPH），可以大幅度縮減組裝工時及成本。
轉(zhuǎn)移技術的選擇需視不同之應用產(chǎn)品決定，最主要是考量設備投資、產(chǎn)出量（UPH）及加工成本等因素，另外各廠家之制程能力及良率的控制，可視為產(chǎn)品發(fā)展順遂的關鍵因素。
以現(xiàn)況來說室內(nèi)顯示屏、智慧手表、智慧手環(huán)的應用，將會是首先實現(xiàn)Micro LED的產(chǎn)品，由于轉(zhuǎn)移技術的困難度甚高及各應用產(chǎn)品的像素數(shù)量(Pixel Volume)的不同，投入的廠商先以既有的外延焊接設備（Wafer Bonding）來做研發(fā)及選擇像素數(shù)量（Pixel Volume）較少之應用產(chǎn)品為目標，以縮短開發(fā)的時間，也有廠商直接朝向薄膜轉(zhuǎn)移 （Thin Film Transfer）技術的方向發(fā)展，但因設備需另外設計及調(diào)整，必需投入資源甚多及消耗更長的研發(fā)時間，也將會產(chǎn)生更多的制程問題。
