清洗范圍：半導體硅片、太陽能電池硅片、晶體、電阻、電容、PCB板、IC芯片、接插件、連接件、轉接器、硅片、三極管、二極管、電子線路板、電腦主板、壓電陶瓷片、顯象管、電真空器件等電子器件的生產加工過程工序間的清洗。清洗原理借助于表面活性劑的潤濕、滲透、乳化、增溶、分散等作用, 使沾污在Si片表面的附著力削弱, 再施以加熱、超聲波等物理方法, 使沾污脫離 Si片表面, 而進人清洗液中被乳化 、分散開。在清洗液中超聲清洗Si片表面其原理可用“空化” 現象來解釋: 超聲波振動在液體中傳播的音波壓強達到一個大氣壓時, 其功率密度為O.35 W/cm, 這時超聲波的音波壓強峰值就可達到真空或負壓, 但實際上無負壓存在, 因此在液體中產生一個很大的壓力, 將液體分子拉裂成空洞一空化核。此空洞非常接近真空, 它在超聲波壓強反向達到最大時破裂, 由于破裂而產生的強烈沖擊將Si片表面的污物撞擊下來，而這種由無數細小的空化氣泡破裂而產生的沖擊波現象稱為“空化”現象。在超聲清洗中, 表面活性劑也發揮著重要作用, 通過表面活性劑的乳化、分散作用, 可以顯著削弱沾污對Si片表面的吸附, 從而獲得好的清洗效果。