6英寸單晶硅片

生產(chǎn)方法：線鋸切割
    
導(dǎo)電類型：P /N型

型號摻雜：P/N型摻硼、鎵/磷
   
晶向偏差：＜100＞±1°

位錯：無
   
電阻率：1~3Ω.cm

直徑：150±0.5mm
    
邊寬：125±0.5mm

片厚：200±20μm等
    
TTV：≤20μm

翹曲度：≤40μm
    
線痕：≤15μm

氧含量：≤1.0×1018 atom/cm3
    
體少子壽命：≥10μs

碳含量：≤5.0×1016 atom/cm3
   
外觀：無隱裂、無沾污等