功率器件igbt/mos測試設(shè)備優(yōu)勢

    高電壓、大電流

    具有高電壓測量/輸出能力,電壓高達(dá)3500V(最大可擴(kuò)展至10kV)

    具有大電流測量/輸出能力,電流高達(dá)6000A(多模塊并聯(lián))

    高精度測量

    nA級漏電流, μΩ級導(dǎo)通電阻

    0.1%精度測量

    模塊化配置

    可根據(jù)實際測試需要靈活配置多種測量單元系統(tǒng)預(yù)留升級空間,后期可添加或升級測量單元

    測試效率高

    內(nèi)置專用開關(guān)矩陣,根據(jù)測試項目自動切換電路與測量單元

    支持國標(biāo)全指標(biāo)的一鍵測試

    擴(kuò)展性好

    支持常溫及高溫測試可靈活定制各種夾具

測試項目
集電極-發(fā)射極電壓Vces，集電極-發(fā)射極擊穿電壓V(br)ces、集電極-發(fā)射極飽和電壓Vcesat
集電極截止電流Ices、柵極漏電流Iges
柵極-發(fā)射極電壓Vges、柵極-發(fā)射極閾值電壓Vge(th)
輸入電容、輸出電容、反向傳輸電容
續(xù)流二極管壓降Vf
I-V特性曲線掃描，C-V特性曲線掃描等

功率器件igbt/mos測試設(shè)備認(rèn)準(zhǔn)普賽斯儀表，詳詢一八一四零六六三四七六；普賽斯儀表專業(yè)研究和開發(fā)半導(dǎo)體材料與器件測試的專業(yè)智能裝備，產(chǎn)品覆蓋半導(dǎo)體領(lǐng)域從晶圓到器件生產(chǎn)全產(chǎn)業(yè)鏈。推出基于高精度數(shù)字源表(SMU）的第三代半導(dǎo)體功率器件靜態(tài)參數(shù)測試方案，為SiC和GaN器件提供可靠的測試手段，實現(xiàn)功率半導(dǎo)體器件靜態(tài)參數(shù)的高精度、高效率測量和分析。如果您對普賽斯功率半導(dǎo)體器件靜態(tài)參數(shù)測試方案和國產(chǎn)化高精度源表感興趣，歡迎隨時聯(lián)系我們！