工藝流程：上料→滴水保護(hù)→背刻→純水噴淋1→正刻→純水噴淋2→粗堿洗→純水噴淋3→精堿洗→純水噴淋4→酸洗→純水噴淋5→烘干→下料 

技術(shù)特點(diǎn)：

●背刻采用先進(jìn)的防過(guò)刻膜保護(hù)技術(shù)和獨(dú)創(chuàng)的非連續(xù)式多重刻蝕技術(shù)，無(wú)刻蝕線產(chǎn)生。

●正刻、背刻副槽均采用高精度超聲波液位檢測(cè)儀，堿洗、HF酸洗副槽配液采用超聲波液位感應(yīng)器監(jiān)控，保證配液的精度±1%。刻副槽制冷采用新型結(jié)構(gòu)的在線式制冷，保證工藝溫度的可控性。

●傳動(dòng)采用編碼器測(cè)速反饋?zhàn)冾l器控制，保證傳動(dòng)速度的穩(wěn)定性。

●設(shè)備采用新型壓桿結(jié)構(gòu)，降低硅片的破片率。

●硅片段間工藝槽表面采用新型的吸水輥結(jié)構(gòu)及壓縮空氣風(fēng)切的雙重切水方式，保證各段工藝的穩(wěn)定性。

●設(shè)備主槽插件板及插件采用新型結(jié)構(gòu)，保證設(shè)備傳動(dòng)的平穩(wěn)性及水平度。

●設(shè)備擁有硅片規(guī)正裝置，保證硅片從上料到下料的整齊度。

●設(shè)備噴淋管、風(fēng)切管采用新型結(jié)構(gòu)固定裝置，保證設(shè)備維護(hù)的方便性。

●設(shè)備內(nèi)部所有槽采用雙層結(jié)構(gòu)并配備有滴液檢測(cè)保護(hù)，杜絕化學(xué)品泄漏。每個(gè)觀察窗均有開(kāi)門(mén)保護(hù)，一旦有違規(guī)開(kāi)啟，設(shè)備立即報(bào)警。